——FAE實(shí)用選型指南

MDD肖特基二極管憑借低正向壓降、快速開關(guān)特性，在電源整流、反向保護(hù)、續(xù)流等應(yīng)用中發(fā)揮著重要作用。但在不同應(yīng)用場(chǎng)景中，如何正確選擇肖特基二極管，尤其是在耐壓、正向壓降與功率損耗之間權(quán)衡，是每位工程師繞不開的課題。以下將從三個(gè)核心參數(shù)出發(fā)，解析實(shí)際應(yīng)用中的選型關(guān)鍵。
1.耐壓（Reverse Voltage,VR）是安全基礎(chǔ)
肖特基二極管的反向擊穿電壓通常比普通整流管低，一般在20V-150V之間。選型時(shí)必須確保其反向耐壓高于最大工作電壓的1.2-1.5倍，為系統(tǒng)留足裕量。例如，在12V電源系統(tǒng)中，建議選擇VR≥20V的肖特基型號(hào)；而在24V或48V系統(tǒng)中，應(yīng)考慮40V~100V級(jí)別的器件，避免因電網(wǎng)尖峰或反向浪涌導(dǎo)致器件擊穿。
2.正向壓降（VF）與系統(tǒng)效率密切相關(guān)
正向壓降是肖特基的最大優(yōu)勢(shì)之一，通常在0.2V~0.5V之間。壓降越低，導(dǎo)通損耗越小，尤其在大電流應(yīng)用中差異顯著。例如，在5A工作電流下，VF為0.3V與0.5V的器件導(dǎo)通損耗相差1W，長(zhǎng)期運(yùn)行將直接影響系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)與能效表現(xiàn)。因此，在滿足耐壓需求的前提下，應(yīng)盡量選擇VF更低的器件，尤其在低壓高電流的DC-DC轉(zhuǎn)換器、USB供電等場(chǎng)合尤為關(guān)鍵。
3.功率損耗評(píng)估：綜合導(dǎo)通與漏電流因素

功率損耗主要來(lái)源于兩方面：一是導(dǎo)通時(shí)的功率

，二是高溫下反向漏電流導(dǎo)致的損耗，尤其在高壓高溫環(huán)境下不可忽視。對(duì)于高頻或長(zhǎng)時(shí)間通電設(shè)備，選用具備低漏電流特性的肖特基產(chǎn)品尤為重要。此外，應(yīng)關(guān)注封裝熱阻與最大結(jié)溫，確保熱能可有效釋放，避免熱失控。
-性能與可靠性的平衡之道-
正確選擇MDD肖特基二極管，需要在耐壓、正向壓降與功率損耗之間找到最優(yōu)平衡點(diǎn)。工程師在選型時(shí)，不僅要參考靜態(tài)參數(shù)，更應(yīng)結(jié)合工作電壓、電流、頻率及熱環(huán)境綜合評(píng)估，確保器件既高效又穩(wěn)定。通過(guò)合理匹配型號(hào)，才能讓肖特基的“高效率”真正落地于系統(tǒng)可靠運(yùn)行之中。